Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB119N12HG4
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB119N12HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23,7нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96,1Вт
Струм стока: 65А
Струм стоку в імпульсі: 260А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; SMT; 3A; 250V

191,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Введення; сірий; -40÷90°C; UL94V-0; IP66; 20,3мм
Введення; сірий; -40÷90°C; UL94V-0; IP66; 20,3мм

125,44 грн

Висота:
20,3мм
Клас герметичності:
IP66
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
сірий
Недоступний
Варистор: керамічний; SMD; 0402; 17ВAC; 19ВDC; 10мДж; 20А; 32,5В
Варистор: керамічний; SMD; 0402; 17ВAC; 19ВDC; 10мДж; 20А; 32,5В

4,12 грн

Енергія 2 мс:
10мДж
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 30,1Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 30,1Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3

8809,56 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS,TTL; LVC
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS,TTL; LVC

25,09 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
8
Кількість каналів:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD