Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,5А; Idm: 18А; 35,7Вт

Немає в наявності
Код товару: STL4N10F7
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STL4N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,8нКл
Корпус: PowerFLAT 3.3x3.3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35,7Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 60÷66,3В; 17,2А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 60÷66,3В; 17,2А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ

12,42 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
54В
Корпус:
SMB flat
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight

80,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 39нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x11x6мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 39нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x11x6мм

10,45 грн

Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±10%
Викрутка: стандартний; плоскa; SL 4; 80мм
Викрутка: стандартний; плоскa; SL 4; 80мм

58,92 грн

Властивості викруток:
магнітний; протиковзке покриття рукоятки; чорнений наконечник леза
Довжина леза:
80мм
Матеріал стержня:
хром-ванадієва сталь
Розмір грота:
SL 4
Недоступний
Test probe: high current; 5A; Ø: 2mm; HSS-118; CuBe; 0.8N; push-in
Test probe: high current; 5A; Ø: 2mm; HSS-118; CuBe; 0.8N; push-in

568,93 грн

Type of test probe:
high current
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 80mm
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 80mm

939,56 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6