Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; Idm: 160А; 140Вт

Немає в наявності
Код товару: DI040N10D1
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI040N10D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 94нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 140Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 0402

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Знімач штифта; 103мм; Різьба: M16; Крок: 2
Знімач штифта; 103мм; Різьба: M16; Крок: 2

466,93 грн

Загальна довжина:
103мм
Крок різьби:
2
Різьба:
M16
Тип інструмента:
знімач штифта
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 150нФ; 310ВAC; 18x13,5x7,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 150нФ; 310ВAC; 18x13,5x7,5мм

5,70 грн

Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
15мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; 30В; 15мА; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; 30В; 15мА; 500мВт

3888,12 грн

Напруга затвор-джерело:
30В
Напруга сток-джерело:
30В
Опір в стані провідності:
100Ом
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,41 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт

338,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6