1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; 30В; 15мА; 500мВт

Транзистор: P-MOSFET; 30В; 15мА; 500мВт
Немає в наявності
Код товару: MX2N5115
3888,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6
Код товару: MX2N5115
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 100Ом
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 15мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,41 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Корпус для з’єднувачів: D-Sub
Корпус для з’єднувачів: D-Sub

12830,10 грн

Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

273,06 грн

Зворотна напруга макс.:
130В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора

2,95 грн

Довжина хвилі λd:
650нм
Колір діода LED:
червоний
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD