Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,6А; Idm: 30А; 700мВт; SOT323

Немає в наявності
Код товару: DMN2065UWQ-7
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2065UWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 5,4нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,7Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц

15,21 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WLCSP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603

1,38 грн

Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Змінний стовбур; ізольований; шестигранний Hex-Plus; HEX 4мм
Змінний стовбур; ізольований; шестигранний Hex-Plus; HEX 4мм

453,62 грн

Вид викрутки:
ізольований
Вид рукоятки:
шестикутний
Вид упаковки:
картоннa
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

264,83 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Струм витоку:
1мкА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263