1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFA7N80P
250,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,44Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 7А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 120мкФ; 6,3ВDC; SMD; OS-CON SVPA; ±20%
Конденсатор: полімерний; 120мкФ; 6,3ВDC; SMD; OS-CON SVPA; ±20%

29,21 грн

Висота:
6мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Конденсатор: електролітичний; SMD; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x5,3мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x5,3мм; ±20%

6,53 грн

Висота:
5,3мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
IC: мікроконтролер MSP430; DIP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; DIP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

115,31 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
2
Конденсатор: керамічний; 27нФ; 25ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 27нФ; 25ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,87 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
27нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 3,09кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,09кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 5
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 5

3347,70 грн

Кількість полюсів:
5
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
500В AC
Номінальний струм:
63А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223

46,25 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс

212,87 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DFN2020-6