1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 361мА; Idm: 1,082А; 155мВт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 361мА; Idm: 1,082А; 155мВт
Немає в наявності
Код товару: NTNS3164NZT5G
6,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 8000
Крок додавання: 8000
Код товару: NTNS3164NZT5G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: SOT883
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 155мВт
Струм стока: 361мА
Струм стоку в імпульсі: 1,082А
Тип транзистора: N-MOSFET
Screw extractor-set; 6pcs.
Screw extractor-set; 6pcs.

826,79 грн

Кількість в наборі/упаковці:
6шт.
Тип інструмента:
screw extractor - set
Тип набору інструментів:
екстрактори
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 6; 6м; 30ВDC; 30ВAC; 4А; Жили: 6; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 6; 6м; 30ВDC; 30ВAC; 4А; Жили: 6; PUR

3653,07 грн

Довжина кабелю:
6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
6
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252