Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,2А; 1,56Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: TSM210N02CX RFG
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM210N02CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,56Вт
Струм стока: 4,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; (ON)-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; (ON)-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100

192,60 грн

Виводи:
для друку
Довжина важеля:
10,41мм
Електрична стійкість:
40000 цикли
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Iвих: 3,6А; Iвих.2: 3,6А
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Iвих: 3,6А; Iвих.2: 3,6А

13050,57 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідний струм:
3,6А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK