Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBFJ309LT1G
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ309LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -25В
Напруга сток-джерело: 25В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 30мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Модуль автоматики: реле безпеки; Uживл: 24ВDC; IN: 2; OUT: 4; IP40
Модуль автоматики: реле безпеки; Uживл: 24ВDC; IN: 2; OUT: 4; IP40

21735,33 грн

Використання:
контроль дворучний
Виходи безпеки:
NO x3
Властивості входу 1:
2 канали з детекцією міжканальних коротких замикань
Допоміжні виходи:
NC x1
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 5,11МОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
5,11МОм
Недоступний
Ключ: комбінований; двосторонній,тріскачка; 36мм; L: 482мм; хром
Ключ: комбінований; двосторонній,тріскачка; 36мм; L: 482мм; хром

5115,31 грн

Вид ключа:
двосторонній; тріскачка
Відповідність стандарту:
DIN 3113; ISO 3318
Властивості ключів:
плоска голівка відігнута на 15°
Довжина:
482мм
Недоступний
Резистор: metal film; 34мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 34мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN

3,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 25,5Вт; 120÷370ВDC; OUT: 2
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 25,5Вт; 120÷370ВDC; OUT: 2

762,17 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
24В DC
Вихідний струм:
1,2 (0,2...2)А
Перетворювач: DC/DC; 0,5Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; THT; SRS
Перетворювач: DC/DC; 0,5Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; THT; SRS

219,21 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Кабель; 0,1м; SMPM "мама",з обох сторін; кутовий,прямий; 50Ом
Кабель; 0,1м; SMPM "мама",з обох сторін; кутовий,прямий; 50Ом

3540,93 грн

Вид кабелю:
Hand Formable 0.047 Inch
Довжина кабелю:
0,1м
Імпеданс:
50Ом
Конструкція кабелю/переходу:
SMPM "мама"; з обох сторін
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт

255,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK