Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; SOT523

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; SOT523
Brand: PanJit Semiconductor
SKU: PJE8407_R1_00001
Price: 29.78 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PJE8407_R1_00001

29,78 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PJE8407_R1_00001

Виробник:

PanJit Semiconductor

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT523

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

10В

Напруга сток-джерело:

20В

Поляризація:

польовий

Струм стока:

0,5А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
15,8нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
21,5нКл

Корпус:
PowerPAK® SC70

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
FG (TO263AB)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT323

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
142нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна

Заряд затвора:
115нКл