Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIA440DJ-T1-GE3
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21,5нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,6Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; NQ; 200В

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8; SMT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMD8; SMT

144,45 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
-3,3В DC
Вихідний струм:
151мА
Вхідна напруга:
19,2...28,8В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; THT; angled; 1x26
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; THT; angled; 1x26

39,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 900мА; 0201; R: 160мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 900мА; 0201; R: 160мОм; BLM

0,56 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
120Ом
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; на панель; ККД: 86%; OUT: 1; Uживл: 9÷36В
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; на панель; ККД: 86%; OUT: 1; Uживл: 9÷36В

3858,34 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Кількість виходів:
1
ККД:
86%
Монтаж:
на панель
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 2,5мкс; SMA; Ufmax: 1,1В; Ir: 5мкА
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 2,5мкс; SMA; Ufmax: 1,1В; Ir: 5мкА

3,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
15пФ
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
SMA
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; ESD

3,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

169,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,44А; 0,45Вт; X1-DFN1006-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,44А; 0,45Вт; X1-DFN1006-3

5,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
X1-DFN1006-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23

13,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 25Вт; TO252

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7,7А; Idm: 31А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7,7А; Idm: 31А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23