Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 800мА; DFN1010B-6

Немає в наявності
Код товару: PJQ1820_R1_00001
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ1820_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DFN1010B-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 8В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 470нФ; 350ВAC; THT; ±20%; 22,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 470нФ; 350ВAC; THT; ±20%; 22,5мм

33,01 грн

Вид конденсатора:
X2
Висота:
18,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
26,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5,08мм

3,61 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 220ВAC; 630ВDC; 27,5мм; ±10%
Конденсатор: поліестровий; 330нФ; 220ВAC; 630ВDC; 27,5мм; ±10%

43,72 грн

Висота:
21мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
31,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 44,7В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 44,7В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

944,00 грн

Зворотна напруга макс.:
35,8В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
44,7В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP4; THT

491,00 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP4; THT

193,23 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,7x6x9,7мм
Кількість виходів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263