1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD70R360P7SAUMA1
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59,5Вт
Струм стока: 7,5А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
температури (за допомогою термопари J)
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 115кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F
Резистор: thick film; 115кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; HA; PIN: 5; 16А; 400В; 4+PE; PG11
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; HA; PIN: 5; 16А; 400В; 4+PE; PG11

1924,74 грн

Alias:
HDC-KIT-HA 04.406
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний + гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0402

0,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

5,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263