Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20А; Idm: 150А; 86Вт; 198нс
Brand: WAYON
SKU: WMB87N25JN
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20А; Idm: 150А; 86Вт; 198нс

Немає в наявності

Код товару: WMB87N25JN

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

WMB87N25JN

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

12нКл

Корпус:

PDFN5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

250В

Опір в стані провідності:

25мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

86Вт

Струм стока:

20А

Струм стоку в імпульсі:

150А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

198нс

Недоступний

Бажані

Датчик: тиску; 2,07бар; абсолютний; -40÷125°C; 85

0,00 грн

Діапазон вимірювання тиску:
2,07бар

Робоча температура:
-40...125°C

Серія виробника:
85

Спосіб спрацювання:
абсолютний

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 1,5кВт; 31,4В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка

3920,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Кількість каналів:
1

Корпус:
DO214AB; SMC

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 22А; Idm: 136А

368,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
55нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
FB (TO252AA)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SuperSOT-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SOT23