Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; Idm: 68А; 19Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK6D38-30EX
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D38-30EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: DFN6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 220В; SMD; 2мкА
Діод: зенера; 5Вт; 220В; SMD; 2мкА

23580,24 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
220В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Недоступний
Свердло; для металу; Ø: 13мм; L: 182мм; Довж.робочої частини: 101мм
Свердло; для металу; Ø: 13мм; L: 182мм; Довж.робочої частини: 101мм

1015,59 грн

Вид рукоятки:
конус Морзе
Відповідність стандарту:
DIN 345
Діаметр свердла:
13мм
Довжина:
182мм
Недоступний
Automation module: RFID field expander
Automation module: RFID field expander

18737,35 грн

тип модуля автоматики:
RFID field expander
Недоступний
Діод: зенера; 50Вт; 110В; 10мкА
Діод: зенера; 50Вт; 110В; 10мкА

2352,39 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
110В
Потужність розсіювання:
50Вт
Пряма напруга макс.:
1,5В
Недоступний
Вилковий місток; Entrelec; оранжевий; затиски: 3
Вилковий місток; Entrelec; оранжевий; затиски: 3

345,92 грн

Alias:
JB16-3
Кількість клем:
3
Колір:
оранжевий
Робоча температура:
-55...110°C
Недоступний
Датчик: тиску
Датчик: тиску

1234,80 грн

Тип датчика:
тиску
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK