Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21,7А; Idm: 174А; 2,57Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NTMFS4C024NT1G
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS4C024NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,57Вт
Струм стока: 21,7А
Струм стоку в імпульсі: 174А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 12x24AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® 1; 12x24AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu

322898,27 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2343; UL 10002; UL 21895; VW-1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50ВDC; NP0; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50ВDC; NP0; ±5%; SMD; 0603

0,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±5%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
Контакт; штекерний; позолочений; екранований; THT; 1А; прямий
Контакт; штекерний; позолочений; екранований; THT; 1А; прямий

262,92 грн

Engineering PN:
har-bus HM Mel., Typ C, AFS 2, Tube
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Максимальний струм:
1А
Недоступний
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 86316; лоток
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 86316; лоток

10930,70 грн

Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
86316
Недоступний
IC: цифровий; fanout buffer,транслятор; Ch: 1; 3÷3,6ВDC; SMD; QFN16
IC: цифровий; fanout buffer,транслятор; Ch: 1; 3÷3,6ВDC; SMD; QFN16

606,31 грн

Вид об'єднаної схеми:
fanout buffer; транслятор
Кількість виходів:
4
Кількість каналів:
1
Корпус:
QFN16
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; 400Мбіт/с; 2,4÷3,6ВDC
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; 400Мбіт/с; 2,4÷3,6ВDC

204,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер лінії; приймач
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
LVDS
Кількість каналів:
1
Connector: FFC/FPC; data; tinned; 2A; straight; vertical,ZIF
Connector: FFC/FPC; data; tinned; 2A; straight; vertical,ZIF

211,61 грн

Connector family:
data
Клас горючості:
UL94V-0
Модель роз’єму:
ZIF; горизонтальний
Номінальний струм:
2А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252