Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,7А; Idm: 70А; 3Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN3027LFG-7
64,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3027LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 11,3нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 26,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 7,7А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Електронний тригер; Полюси: 3; 570А; IP40; -25÷70°C; 690ВAC; NSX
Електронний тригер; Полюси: 3; 570А; IP40; -25÷70°C; 690ВAC; NSX

90162,18 грн

Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP40
Номінальний струм:
570А
Робоча напруга макс.:
690В AC
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,MSSP
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,MSSP

101,36 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART; GPIO; ICSP; MSSP
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; PV4; 2A/24ВDC; IP67; RGB
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; PV4; 2A/24ВDC; IP67; RGB

1139,66 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,9В; SMD; MicroMELF; одиночний діод; BZM55
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,9В; SMD; MicroMELF; одиночний діод; BZM55

1,45 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,9В
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD