Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS806NH6327XTSA1
21,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 82мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 2,3А
Технологія: OptiMOS™ 2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3÷4A; Ø: 1.2mm; beryllium copper; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3÷4A; Ø: 1.2mm; beryllium copper; 1.5N; 20mΩ

475,80 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,7мм
Діаметр наконечника:
1,2мм
Загальна довжина:
35,9мм
Провід; Alpha Essential C&C; 1x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 150В
Провід; Alpha Essential C&C; 1x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 150В

2630,52 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Мірник: потужності; LCD TFT 4,3"; 50А; 1кВ; Сервіс: Modbus,SCPI
Мірник: потужності; LCD TFT 4,3"; 50А; 1кВ; Сервіс: Modbus,SCPI

108954,77 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 4,3"
Вимір:
активної потужності; напруги AC; напруги DC; струму AC; струму DC; уявної потужності; частоти
Інтерфейс:
Ethernet; GPIB; RS232; USB
Максимальна напруга:
1кВ
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD