Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO263; 34нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA100N04T2
92,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTA100N04T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 34нс
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 4,7нФ; 2кВDC; 700ВAC; 26,5x15x6мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 4,7нФ; 2кВDC; 700ВAC; 26,5x15x6мм

24,07 грн

Висота:
15мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
26,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА

204,62 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
19,2...28,8В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

18,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; односпрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; односпрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

380,10 грн

Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 19,2÷28,8ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА

176,75 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
19,2...28,8В DC
Недоступний
Test probe: pneumatic; 2A; Ø: 2mm; steel; Blade tip shape: needle
Test probe: pneumatic; 2A; Ø: 2mm; steel; Blade tip shape: needle

1121,92 грн

Type of test probe:
pneumatic
Вигин пружини макс.:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
2мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

364,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В