1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MSC360SMA120S
363,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC360SMA120S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 71Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 27А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 160А; 55кВт

26381,18 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Допоміжні інтегровані контакти:
NO
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА

1866,45 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,666А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C

1016,22 грн

Ємність:
30пФ
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6LWF

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 230ВAC,400ВAC; 48В; гвинтовий

3163,97 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
48В
Додаткові функції:
відгалуження первинної обмотки ±15 В
Недоступний
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен
Затискна обійма; L: 610мм; W: 13,2мм; поліпропілен

298,40 грн

Довжина:
0,61м
Матеріал обійми:
поліпропілен
Стійкість до:
промені УФ
Тип аксесуарів до кабелів:
затискна обійма
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669