Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 185А; Idm: 900А; 53Вт; DFNW5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C430NWFAFT1G
167,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C430NWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 53Вт
Струм стока: 185А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%

404,21 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
82%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм

5,13 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
5мм
Енергія E10/1000мкс:
9Дж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer

5171,70 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
продовжені
Діапазон різки:
дріт середньої твердості Ø0,4мм макс.; м'який дріт Ø0,6мм макс.
Довжина щипців:
120мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263