Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 2,5А; 31,7Вт; PowerSO10RF

Немає в наявності
Код товару: PD55003TR-E
438,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PD55003TR-E
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerSO10RF
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31,7Вт
Струм стока: 2,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; CuBe; Blade tip shape: serrated
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; CuBe; Blade tip shape: serrated

293,97 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
3,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3,5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 40МГц; 2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 40МГц; 2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18

441,59 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC

18259,02 грн

Виводи:
безгвинтові виводи
Вид виходу 1:
реле
Застосування - серія/виробник:
CJ
Зовнішні розміри:
90x31x89мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА

141,28 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,85÷4,5ВDC; Uвих: 3ВDC; 0,45А; SC70
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,85÷4,5ВDC; Uвих: 3ВDC; 0,45А; SC70

185,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
3В DC
Вихідний струм:
0,45А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

288,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD