Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 330А; Idm: 900А; 83Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C410NLAFT1G
236,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C410NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 820мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 330А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 3,3кОм; 1Вт; CHP; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; 1Вт; CHP; 100ppm/°C

14,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±2%
Опір:
3,3кОм
Потужність:
1Вт
Резистор: thin film; 16,9кОм; 2x1,25мм
Резистор: thin film; 16,9кОм; 2x1,25мм

14,13 грн

Опір:
16,9кОм
Розміри корпусу:
2x1,25мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; 5ВDC; 0,5мА; L: 19мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; 5ВDC; 0,5мА; L: 19мм

338,95 грн

Властивості енкодерів:
з кнопкою
Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
19мм
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 83,3÷92,1В; 24,8А; односпрямована; ±5%
Діод: TVS; 3кВт; 83,3÷92,1В; 24,8А; односпрямована; ±5%

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Аксесуари: пресуючі губки; кільцевий трубчастий наконечник
Аксесуари: пресуючі губки; кільцевий трубчастий наконечник

18518,78 грн

Застосування інструментів для обробки кінцівок:
кільцевий трубчастий наконечник
Переріз проводу:
150мм2
Тип аксесуарів для інструментів:
пресуючі губки
Форма матриці:
шестикутна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

288,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD