Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 430А; DFN5060X-8

Немає в наявності
Код товару: PJQ5536S6VC-AU_R2_002A1
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 30000
Крок додавання: 30000
Код товару: PJQ5536S6VC-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: DFN5060X-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Струм стока: 430А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230/400ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230/400ВAC

2097,70 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
0,3А
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 500мВт; ±5%; Ø3x9мм; осьові; L: 9мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 500мВт; ±5%; Ø3x9мм; осьові; L: 9мм

1,22 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD