1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; Idm: 480А; 50Вт; QFN5x6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; Idm: 480А; 50Вт; QFN5x6
Немає в наявності
Код товару: DI120N04PQ-AQ
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI120N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 85А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 94,4В; 1,5А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 94,4В; 1,5А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF

4,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
85В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Модуль автоматики: сенсорна панель; на панель; LVDS,USB; OMNI
Модуль автоматики: сенсорна панель; на панель; LVDS,USB; OMNI

34114,33 грн

Cенсорна панель:
опору
Властивості пускових комплектів і програматорів:
without HDD/SSD; without RAM memory
Діагональ екрану:
17"
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; BiCMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; BiCMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD

552,46 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
bus transceiver
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; SMB; SMBJ

4,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AA; 10нА
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AA; 10нА

1799,93 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
30В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Датчик: вібрації руху; -40÷125°C; OUT: SPST-NO; 5ВDC
Датчик: вібрації руху; -40÷125°C; OUT: SPST-NO; 5ВDC

162,82 грн

Конфігурація виходу:
SPST-NO
Навантажувальна здатність контактів DC @R:
0,01A / 5В DC
Напруга живлення:
5В DC
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1908,90 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,333А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD