1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5,8А; Idm: 23А; 3,1Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5,8А; Idm: 23А; 3,1Вт; SOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS06N10TS
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS06N10TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37,9нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 5,8А
Струм стоку в імпульсі: 23А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 120В; SO8; SMD; 45А; двоспрямована,потрійна
Тиристор: TSS; Urmax: 120В; SO8; SMD; 45А; двоспрямована,потрійна

79,19 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
36В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 2мкс; MELF; 1,3В; 1мкА; ролик,cтрічка
Діод: випрямний; SMD; 2мкс; MELF; 1,3В; 1мкА; ролик,cтрічка

5494,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,3В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD