Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 87А; Idm: 348А; 36Вт; TO252AA

Немає в наявності
Код товару: PJD55N04S-AU_L2_002A1
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 87А
Струм стоку в імпульсі: 348А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight

24,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

729,85 грн

Довжина кабелю:
2,5м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; SMT; MGJ6; ККД: 80%; OUT: 2
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; SMT; MGJ6; ККД: 80%; OUT: 2

1247,47 грн

Вихідна напруга:
-10/-5/-5В DC; 15/20/15В DC
Вхідна напруга:
18...36В DC
Зовнішні розміри:
31,24x22,61x14,19мм
Кількість виходів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD