Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,14А; Idm: 7,2А; 40Вт

Немає в наявності
Код товару: FQP2N40-F080
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQP2N40-F080
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 5,5нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 5,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 1,14А
Струм стоку в імпульсі: 7,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; SSOP20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; SSOP20; PIC16

72,23 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CWG; HLT; NCO; PoR; PPS; watchdog; zero cross detect; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
EUSART; I2C; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SMBus; SPI
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 15мкГн; R: 195мОм; ±10%; CB; 730мА
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 15мкГн; R: 195мОм; ±10%; CB; 730мА

6,40 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
15мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1mm; steel; Blade tip shape: chisel
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1mm; steel; Blade tip shape: chisel

374,43 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1мм
Провід; UNITRONIC® SENSOR; LifYY; 4x0,34мм2; неекранований; 300В
Провід; UNITRONIC® SENSOR; LifYY; 4x0,34мм2; неекранований; 300В

88,06 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LifYY
Резистор: thick film; 82кОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82кОм; ±5%; -55÷155°C

44,35 грн

Допуск:
±5%
Опір:
82кОм
Робоча температура:
-55...155°C
Тип резистора:
thick film
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3