Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 22А; 74Вт; I2PAK,TO262

Немає в наявності
Код товару: SIHF730AL-GE3
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHF730AL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: I2PAK; TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 74Вт
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 18ВDC; Iвих: 55,5мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 18ВDC; Iвих: 55,5мА

213,51 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідний струм:
55,5мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
12,7x10,16x6,85мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

349,09 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG,SPI x2,UART x2; Cmp: 1
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG,SPI x2,UART x2; Cmp: 1

717,18 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
JTAG; SPI x2; UART x2
Кількість каналів PWM:
10
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 51кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 51кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,35 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; THT; ККД: 89,5%; Uізол: 2,25кВ; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; THT; ККД: 89,5%; Uізол: 2,25кВ; OUT: 1

Використання:
IT
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Кількість виходів:
1
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 5; soldering,THT
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 5; soldering,THT

138,11 грн

Connector family:
data
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Загальна довжина:
10,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

1185,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
373нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 130Вт

197,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
133,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; 180Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC