Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIF120SIC028
1185,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 373нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 715Вт
Струм стока: 84А
Струм стоку в імпульсі: 295А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 22мкФ; 2,25кВDC; 1,35кВAC; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 22мкФ; 2,25кВDC; 1,35кВAC; ±10%

4913,84 грн

Виводи:
гвинти М10
Висота:
176мм
Діаметр:
75мм
Допуск:
±10%
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; EC5SBW
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; EC5SBW

1892,43 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0...2А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Магніт: постійн; NdFeB; 8Н; Ø: 16мм; H: 16мм; алюміній; Різьба: M6
Магніт: постійн; NdFeB; 8Н; Ø: 16мм; H: 16мм; алюміній; Різьба: M6

688,67 грн

Висота:
16мм
Діаметр:
16мм
Магнітний матеріал:
NdFeB
Матеріал корпусу:
алюміній
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 33нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 33нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм

2,79 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1210,72 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247