Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; Idm: 88А; 265Вт; D3PAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; Idm: 88А; 265Вт; D3PAK
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT5024SLLG
Price: 580.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: APT5024SLLG

580,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

APT5024SLLG

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

43нКл

Корпус:

D3PAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

0,24Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

265Вт

Струм стока:

22А

Струм стоку в імпульсі:

88А

Технологія:

POWER MOS 7®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

364,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
21нКл

Корпус:
D3PAK; TO268

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
102нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
67нКл

Корпус:
FG (TO263AB)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
407нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,8нКл

Корпус:
SC70; SOT323

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-15В