Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 24А; 480Вт; TO263; 400нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA460P2
242,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA460P2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 3,3ВDC; AM2DM-RZ
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 3,3ВDC; AM2DM-RZ

382,67 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Кількість виходів:
1
Напруга ізоляції:
3кВ DC
Недоступний
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; ON-OFF-ON; 15A/250ВAC; -25÷85°C
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; ON-OFF-ON; 15A/250ВAC; -25÷85°C

706,41 грн

Виводи:
до лютування
Вид важеля:
круглий
Електрична стійкість:
30000 цикли
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В