1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9А; Idm: 38А; 208Вт; TO247AC

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9А; Idm: 38А; 208Вт; TO247AC
Немає в наявності
Код товару: SIHG14N50D-GE3
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG14N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 38А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100

478,97 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
QFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C

119,11 грн

Висота:
40мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Матеріал:
папір
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)

127,34 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57,1А; односпрямована; DO214AA,SMB; PAR®
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57,1А; односпрямована; DO214AA,SMB; PAR®

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Корпус:
DO214AA; SMB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC

278,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT