Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BS170
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BS170
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,83Вт
Струм стока: 0,5А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Технологія: DMOS
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

34,21 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,1А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±10%; SMD; 1206

3,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В

1,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,15 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB

234,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 20А; 68Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 20А; 68Вт; TO3PF

237,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 325Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 325Вт; TO220AB

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
275нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 20А; 76Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 20А; 76Вт; TO3PF

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 8,2А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 8,2А; 30Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT