Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 300Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: STB85NF55T4
77,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STB85NF55T4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 385кГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; TSSOP14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 385кГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; TSSOP14; туба

108,34 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,15...0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Недоступний
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 3x28AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 3x28AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu

10862,28 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 53,3÷61,3В; 5,2А; односпрямована; ±5%; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 53,3÷61,3В; 5,2А; односпрямована; ±5%; SMA

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
48В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263