1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 103А; Idm: 658А; 83Вт; WDFN8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 103А; Idm: 658А; 83Вт; WDFN8
Немає в наявності
Код товару: NTTFS3D7N06HLTWG
117,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32,7нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 103А
Струм стоку в імпульсі: 658А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,8пФ
Недоступний
Резистор: power metal; 5мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%
Резистор: power metal; 5мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%

5,70 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Адаптер; FME "папа",SMA "папа"
Адаптер; FME "папа",SMA "папа"

180,56 грн

Конструкція кабелю/переходу:
FME "папа"; SMA "папа"
Тип переходу:
адаптер
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБFLASH; UQFN36; DSPIC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБFLASH; UQFN36; DSPIC; -40÷85°C

74,13 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; UART
Корпус:
UQFN36
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_C; NC x2 + NO; IP69K; 200мА
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_C; NC x2 + NO; IP69K; 200мА

9726,95 грн

Дальність:
20мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP69K
Конфігурація контактів:
NC x2 + NO
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK

322,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252