Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 260А; Idm: 500А; 170Вт; DSOP8

Немає в наявності
Код товару: TPW1R306PL,L1Q(M
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: TPW1R306PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 260А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Антена; BEIDOU,Bluetooth,Galileo,GPS,WiFi,ZigBee; 50Ом; 55мм
Антена; BEIDOU,Bluetooth,Galileo,GPS,WiFi,ZigBee; 50Ом; 55мм

0,00 грн

Вид антени:
BEIDOU; Bluetooth; Galileo; GPS; WiFi; ZigBee
Довжина:
55мм
Імпеданс:
50Ом
Підключення:
RP-SMA; штекерний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М8 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М8 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC

809,05 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67; IP69K
Недоступний
Молоток; 340мм; 450г; гума; Ø: 58мм
Молоток; 340мм; 450г; гума; Ø: 58мм

178,66 грн

Вага головки:
450г
Діаметр наконечника:
58мм
Загальна довжина:
340мм
Матеріал наконечника:
гума
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,2В; 82,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,2В; 82,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

81,09 грн

Зворотна напруга макс.:
11В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; THT
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; THT

1412,82 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
15
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 64,4В; 6,4А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 64,4В; 6,4А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
58В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
IC: пам'ять FLASH; 512кбFLASH; SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
IC: пам'ять FLASH; 512кбFLASH; SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8

32,94 грн

Вид пам’яті:
NOR
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263