Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 464А; Idm: 900А; 147,3Вт

Немає в наявності
Код товару: NVMTS0D7N06CTXG
580,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMTS0D7N06CTXG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 152нКл
Корпус: TDFNW8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 720мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 147,3Вт
Струм стока: 464А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight

39,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,2мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,6нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
20,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD