Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA2N100P
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA2N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 800нс
LED; зелений; SMD; Gull wing; 40÷100мкд; 2,2÷2,5ВDC; 2,5x2x2,8мм
LED; зелений; SMD; Gull wing; 40÷100мкд; 2,2÷2,5ВDC; 2,5x2x2,8мм

10,77 грн

Діаметр діода ДУВ:
1,9мм
Довжина хвилі λd:
568нм
Колір діода LED:
зелений
Корпус:
Gull Wing
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 5x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м
Провід; Alpha Essential C&C; 5x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м

5424,49 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B; CSA FT4; UL 2464
Недоступний
Провід: для передачі даних; chainflex® CFBUS; 3x2x0,25мм2; Cu
Провід: для передачі даних; chainflex® CFBUS; 3x2x0,25мм2; Cu

782,44 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Реактор: дротяний; THT; 75мкГн; 1А; R: 780мОм; ±20%; Ø7,5x24мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 75мкГн; 1А; R: 780мОм; ±20%; Ø7,5x24мм; ферит

41,18 грн

Виводи:
осьові
Висота:
24мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 316Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 316Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
LED; зелений; SMD; 90мкд; 20мА; 571нм; Лінза: прозора
LED; зелений; SMD; 90мкд; 20мА; 571нм; Лінза: прозора

0,00 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
571нм
Колір діода LED:
зелений
Лінза діода:
прозора
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 18мкГн; 340мА; R: 0,82Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 18мкГн; 340мА; R: 0,82Ом; ±10%; LQH

9,63 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
18мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3