Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5,36А; 2,12Вт; TO252/DPAK

Немає в наявності
Код товару: ZXMN6A08KTC
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: ZXMN6A08KTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Заряд затвора: 3,8нКл
Корпус: TO252/DPAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,12Вт
Струм стока: 5,36А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; TO218,TO220,TO247,TO264,TO3P
Радіатор: штампований; ребристий; TO218,TO220,TO247,TO264,TO3P

0,00 грн

Використання:
TO3P; TO218; TO220; TO247; TO264
Висота:
11,5мм
Довжина:
50мм
Колір:
натуральний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0402; 330мм

3,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 330Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм
Резистор: вуглецевий; 330Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; 71,3А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 28,9В; 71,3А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

21,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 50Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм
Резистор: вуглецевий; 50Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 866кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 866кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Опір:
866кОм
Потужність:
0,1Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD