Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 69Вт; PG-TDSON-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 69Вт; PG-TDSON-8
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: BSC067N06LS3GATMA1
Price: 25.15 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BSC067N06LS3GATMA1

25,15 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5000

Крок додавання: 5000

Код товару:

BSC067N06LS3GATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

6,7мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

69Вт

Струм стока:

50А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
5,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-7

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В