1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 68А; Idm: 161А; 156Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 68А; Idm: 161А; 156Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMB032N08NS1_T0_00601
72,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMB032N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 161А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C,RS232,RS485,SPI,UART
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C,RS232,RS485,SPI,UART

67,78 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; RS232; RS485; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
25
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

288,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD