1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 68А; Idm: 166А; 156Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 68А; Idm: 166А; 156Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMP032N08NS1_T0_00601
74,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMP032N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 166А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 01005

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,25А
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,25А

1629,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP; мінімальна напруга UVP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Індикаторна лампа; 22мм; M22N; Підсв: LED; Ø22,3мм; IP66; зелений
Індикаторна лампа; 22мм; M22N; Підсв: LED; Ø22,3мм; IP66; зелений

1114,42 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид індикатора:
опукла
Клас герметичності:
IP66
Колір індикатора:
зелений
Кінцевий датчик; осердя; DPDT; 10А; IP67
Кінцевий датчик; осердя; DPDT; 10А; IP67

17980,89 грн

Вид головки:
осердя
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252