Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 43А; 156Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP186N60EF-GE3
232,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP186N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 193мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 43А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 1x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 1x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м

45141,97 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 31,1÷34,4В; 8,8А; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 0,4кВт; 31,1÷34,4В; 8,8А; односпрямована; SOD123F

4,56 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
28В
Корпус:
SOD123F
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™