1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTQ22N50P
377,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ22N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 350Вт
Струм стока: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Гніздо; 500А; гвинт М6; Вив: кільцеві M6; UL94V-2; 32В
Гніздо; 500А; гвинт М6; Вив: кільцеві M6; UL94V-2; 32В

558,16 грн

Виводи:
кільцеві M6
Використання аксесуари для запобіжників:
запобіжники автомобільні
Клас горючості:
UL94V-2
Максимальний струм:
500А
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,10 грн

Alias:
C0603C472K4RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем

160,29 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402

0,29 грн

Alias:
KGM05AV51C104ZN
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
Y5V
Недоступний
Діод: TVS; двоспрямована; ESD; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; двоспрямована; ESD; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В