Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 76А; 125Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 76А; 125Вт
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL26NM60N
Price: 249.62 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STL26NM60N

249,62 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STL26NM60N

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

60нКл

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,185Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

19А

Струм стоку в імпульсі:

76А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
29,3нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
51нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-35В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD