1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт; TO247AC

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт; TO247AC
Немає в наявності
Код товару: SIHG065N60E-GE3
354,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 116А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 152В; 6,8А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 152В; 6,8А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

4865,69 грн

Зворотна напруга макс.:
136В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 620Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 620Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ

0,00 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH

701,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN x2; EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2C x3; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н

163,46 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8

18,18 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
39,2кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А

398,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
TO247-3