Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHK055N60EF-T1GE3
377,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHK055N60EF-T1GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: PowerPAK® 1012
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 236Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Tap: metric-set; M16; fine thread,left hand thread; 1; L: 70mm
Tap: metric-set; M16; fine thread,left hand thread; 1; L: 70mm

1563,47 грн

Type of tap:
metric - set
Вид різьблення:
ліва; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2,5%; SMD

0,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
82пФ
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 10AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 10AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м

19301,96 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64

497,93 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0402

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack; 1N47xxA
Діод: зенера; 1Вт; 8,2В; DO41; одиночний діод; Ammo Pack; 1N47xxA

13,94 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
8,2В
Корпус:
DO41
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD