Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,5А; Idm: 8А; 6Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: STN6N60M2
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STN6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,2нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

53,85 грн

Висота:
28,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB

652,56 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; SPI; UART; USB
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий

5869,88 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

12,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 18,9В; 53,3А; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 18,9В; 53,3А; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка

89,96 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
17В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23