Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 66А; 540Вт; TO268

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 66А; 540Вт; TO268
Brand: IXYS
SKU: IXKT70N60C5
Price: 921.10 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXKT70N60C5

921,10 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXKT70N60C5

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

super junction coolmos

Заряд затвора:

150нКл

Корпус:

TO268

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

45мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

540Вт

Струм стока:

66А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
10нКл

Корпус:
PG-SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; 25Вт; TO252

57,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
49нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN5x6

18,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3

182,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
95нКл

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 290Вт; D2PAK

90,59 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
180нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD